发明名称 功率半导体模块及其制造方法
摘要 功率半导体模块(10)具有:第1框架部(5)、功率半导体元件(1)、第2框架部(6)、控制用集成电路(2)、导线(7a)和绝缘体部(4)。功率半导体元件(1)搭载在第1框架部(5)的第1表面(5a)上。控制用集成电路(2)搭载在第2框架部(6)的第3表面(6a)上,且用于控制功率半导体元件(1)。导线(7a)的一端与功率半导体元件(1)连接,且另一端与控制用集成电路(2)连接。在与第1框架部(5)的第1表面(5a)垂直的方向上,第1框架部(5)的第1表面(5a)和第2框架部(6)的第3表面(6a)位于相同的高度。由此,能够提供一种功率半导体模块(1)及其制造方法,其通过实现导线(7a)的环稳定化,能够抑制导线(7a)的断线或短路。
申请公布号 CN103824844A 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201310575019.4 申请日期 2013.11.15
申请人 三菱电机株式会社 发明人 白水政孝;商明
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种功率半导体模块,其具有:第1框架部,其具有彼此相对的第1表面及第2表面;功率半导体元件,其搭载在所述第1框架部的所述第1表面上;第2框架部,其具有彼此相对的第3表面及第4表面;控制用集成电路,其搭载在所述第2框架部的所述第3表面上,且用于控制所述功率半导体元件;导线,其具有一端及另一端,所述一端与所述功率半导体元件连接,且所述另一端与所述控制用集成电路连接;以及绝缘体部,其对所述功率半导体元件、所述第1框架部、所述控制用集成电路、所述第2框架部以及所述导线进行封装,在与所述第1框架部的所述第1表面垂直的方向上,所述第1框架部的所述第1表面和所述第2框架部的所述第3表面位于相同的高度。
地址 日本东京