| 发明名称 | 一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体及其水相制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体其为具有磁性的Gd掺杂的CdTe纳米晶体，10≤Cd/Gd的摩尔比≤50，其荧光发射波长可调，其荧光量子产率高。本发明还公开该Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水相制备方法及其在荧光-核磁共振双模式成像中的应用。本发明制备方法在水溶液中进行，具有原料易得、成本低、操作简单安全、可控性强等优点。本发明Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水溶性好、荧光发射波长可调、荧光量子产率高、生物相容性好，具有优良荧光和磁性性质，具有非常好的荧光-磁共振双模式成像性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103820120A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201410054799.2 | 申请日期 | 2014.02.18 |
| 申请人 | 华东师范大学 | 发明人 | 彭晖;沈志涛;王依婷;罗春花 |
| 分类号 | C09K11/88(2006.01)I;A61K49/00(2006.01)I;A61K49/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人 | 董红曼 |
| 主权项 | 一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体，其特征在于，其为具有磁性的Gd掺杂的CdTe纳米晶体，10≤Cd/Gd的摩尔比≤50，其荧光发射波长可调，其荧光量子产率高；所述荧光发射波长的可调范围为500～750nm；所述荧光量子产率达30％。 | ||
| 地址 | 200062 上海市普陀区中山北路3663号 | ||