发明名称 形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法及其产物的用途
摘要 本发明公开了一种形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法及其产物的用途。方法为先对惰性导电基底蒸金,再于其上涂敷正性光刻胶并干燥,得到其上覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底,接着,先将具有有序阵列透光图案的光刻板覆盖于其上覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底上后,将其依次置于紫外光下曝光、显影液中漂洗和干燥处理,得到其上覆有带有有序阵列透光图案的正性光刻胶和金膜的惰性导电基底,再将该惰性导电基底作为正极、铜片作为负极,正负极之间导线相连接后一起置于银电解液中静置,制得形貌可控的银纳米片组装结构阵列。它可广泛地作为表面增强拉曼散射的活性基底,使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的痕量罗丹明或四氯联苯。<!--1-->
申请公布号 CN103820826A 申请公布日期 2014.05.28
申请号 CN201210468025.5 申请日期 2012.11.19
申请人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明人 李中波;孟国文;赵志飞;梁婷
分类号 C25D3/46(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N21/65(2006.01)I 主分类号 C25D3/46(2006.01)I
代理机构 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人 任岗生;王挺
主权项 一种形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法,包括于导电基底上蒸金,其特征在于完成步骤如下:步骤1,先将惰性导电基底置于真空蒸镀仪中,于电流密度为8~12mA/cm<sup>2</sup>下蒸金至少20s,得到其上覆有金膜的惰性导电基底,再于覆有金膜的惰性导电基底上涂敷至少1μm厚的正性光刻胶后,将其于90~100℃下干燥15~20min,得到其上依次覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底;步骤2,先将具有有序阵列透光图案的光刻板覆盖于其上依次覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底上后,将其置于紫外光下曝光至少36s,再将曝光后的其上依次覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底置于显影液中漂洗至少1min后,对其进行干燥处理,得到其上依次覆有带有有序阵列透光图案的正性光刻胶和金膜的惰性导电基底;步骤3,先将浓度为3~5g/L的硝酸银水溶液和浓度为30~34g/L的柠檬酸水溶液按照体积比为0.9~1.1:0.9~1.1的比例相混合,得到银电解液,再将其上依次覆有带有有序阵列透光图案的正性光刻胶和金膜的惰性导电基底作为正极、铜片作为负极,正负极之间导线相连接后一起置于银电解液中静置40~80min,制得形貌可控的银纳米片组装结构阵列;其中,构成结构阵列的单元形貌和排列方式为有序阵列透光图案中的单元图形及其排列方式,所述单元由两片以上平行排列的银纳米片成束交叉组成,所述银纳米片的片厚为15~20nm、片长为0.5~4μm、片间距≤10nm。
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