一种制造半导体装置的方法，其包括在包含特定有机化合物的CMP组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或Si_1-xGe_x材料

摘要

一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或0.1≤x<1的Si_1-xGe_x材料，所述CMP组合物包含：(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)至少一种类型的氧化剂，(C)至少一种类型的包含至少{k}个结构部分(Z)的有机化合物，但阴离子为无机且唯一有机阳离子为[NR¹¹R¹²R¹³R¹⁴]⁺的盐除外，其中{k}为1、2或3，(Z)为羟基(-OH)、烷氧基(-OR¹)、杂环烷氧基(作为杂环结构的一部分的-OR¹)、羧酸(-COOH)、羧酸酯(-COOR²)、氨基(-NR³R⁴)、杂环氨基(作为杂环结构的一部分的-NR³R⁴)、亚氨基(=N-R⁵或-N=R⁶)、杂环亚氨基(作为杂环结构的一部分的=N-R⁵或-N=R⁶)、膦酸酯(-P(=O)(OR⁷)(OR⁸))、磷酸酯(-O-P(=O)(OR⁹)(OR¹⁰))、膦酸(-P(=O)(OH)₂)、磷酸(-O-P(=O)(OH)₂)结构部分或其质子化或去质子化形式，R¹、R²、R⁷、R⁹彼此独立地为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，R³、R⁴、R⁵、R⁸、R¹⁰彼此独立地为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，R⁶为亚烷基或芳基亚烷基，R¹¹、R¹²、R¹³彼此独立地为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，且R¹¹、R¹²、R¹³不包含任何结构部分(Z)，R¹⁴为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，且R¹⁴不包含任何结构部分(Z)，及(D)含水介质。

主权项

一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或0.1≤x<1的Si_1‑xGe_x材料，所述CMP组合物包含：(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)至少一种类型的氧化剂，(C)至少一种类型的包含至少{k}个结构部分(Z)的有机化合物，但阴离子为无机且唯一有机阳离子为[NR¹¹R¹²R¹³R¹⁴]⁺的盐除外，其中{k}为1、2或3，(Z)为羟基(‑OH)、烷氧基(‑OR¹)、杂环烷氧基(作为杂环结构的一部分的‑OR¹)、羧酸(‑COOH)、羧酸酯(‑COOR²)、氨基(‑NR³R⁴)、杂环氨基(作为杂环结构的一部分的‑NR³R⁴)、亚氨基(=N‑R⁵或‑N=R⁶)、杂环亚氨基(作为杂环结构的一部分的=N‑R⁵或‑N=R⁶)、膦酸酯(‑P(=O)(OR⁷)(OR⁸))、磷酸酯(‑O‑P(=O)(OR⁹)(OR¹⁰))、膦酸(‑P(=O)(OH)₂)、磷酸(‑O‑P(=O)(OH)₂)结构部分或其质子化或去质子化形式，R¹、R²、R⁷、R⁹彼此独立地为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，R³、R⁴、R⁵、R⁸、R¹⁰彼此独立地为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，R⁶为亚烷基或芳基亚烷基，R¹¹、R¹²、R¹³彼此独立地为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，且R¹¹、R¹²、R¹³不包含任何结构部分(Z)，R¹⁴为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，且R¹⁴不包含任何结构部分(Z)，及(D)含水介质。