| 发明名称 | LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种LBO晶体生长原料的合成方法，在100℃去离子水中加入Li<sub>2</sub>MoO<sub>4</sub>和H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>，制得乳状物；将乳状物烘干、磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。还提供了一种制备LBO晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，升温至熔化后，搅拌溶液，冷却至饱和点温度以上5～10℃，得到混合均匀的熔体；将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉，当24h后籽晶未熔未长，开始以0.1～1℃/day的降温速率缓慢生长；晶体生长结束后从熔体中提出晶体，降至室温，取出制得LBO晶体。本发明避免了固相合成在高温下反应组分偏离，使生长的LBO晶体质量好，无包裹体等晶体缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN103820856A | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201410035607.3 | 申请日期 | 2014.01.24 |
| 申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 胡章贵;杨蕾;岳银超 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王文君 |
| 主权项 | 一种LBO晶体生长原料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤，S11：在100℃去离子水中加入Li<sub>2</sub>MoO<sub>4</sub>和H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>，搅拌溶解后加热制得乳状物；S12：将所述步骤11制得的乳状物烘干；S13：将所述步骤12所得的烘干物质磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村东路29号 | ||