| 发明名称 | 半导体气体传感器 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种半导体气体传感器，该半导体气体传感器包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的加热电极；位于所述加热电极形成的热场内的信号感测电极，所述信号感测电极包括导电电极以及电性连接所述导电电极的气敏材料；其中，所述加热电极和所述信号感测电极之间设置有绝缘介质层。本实用新型提供的半导体气体传感器通过采用喷墨印刷的方式制备绝缘介质层，可以大大减少传感器的生产成本，并且，喷墨印刷的分辨率高，可以精确定位印刷设计好的图案，工艺流程简单。 | ||
| 申请公布号 | CN203616277U | 申请公布日期 | 2014.05.28 |
| 申请号 | CN201320818981.1 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 发明人 | 张克栋;徐红艳;崔铮 |
| 分类号 | G01N27/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种半导体气体传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底具有表面；设置在所述表面的加热电极；位于所述加热电极形成的热场内的信号感测电极，所述信号感测电极包括导电电极以及电性连接所述导电电极的气敏材料；其中，所述加热电极和所述信号感测电极之间设置有绝缘介质层。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼104室 | ||