发明名称 PHOTORESIST UNDERLAYER COMPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME
摘要 A photoresist underlayer composition includes a solvent, and a polysiloxane resin represented by Chemical Formula 1: {(SiO1.5—Y—SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f.  [Chemical Formula 1]
申请公布号 KR101400182(B1) 申请公布日期 2014.05.27
申请号 KR20090136178 申请日期 2009.12.31
申请人 发明人
分类号 G03F7/11 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人
主权项
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