| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs (70) eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100), – Ausbilden oder Freilegen einer Saatschicht (6) an einer Außenfläche (100a) des optoelektronischen Halbleiterchips (100), und – stromloses Abscheiden einer Kontaktschichtenfolge (7) auf der Saatschicht (6), wobei – die Saatschicht (6) mit einem Metall gebildet ist, welches das stromlose Abscheiden von Nickel auf der Saatschicht (6) ermöglicht, – die Kontaktschichtenfolge (7) als erste, der Saatschicht (6) zugewandte Schicht eine Nickelschicht (71) umfasst, und – die Kontaktschichtenfolge (7) an ihrer der Saatschicht (6) abgewandten Seite eine Kontaktfläche (7a) aufweist, über die der optoelektronische Halbleiterchip (100) elektrisch kontaktierbar ist. |
