| 发明名称 |
STAGGERED PROGRAMMING FOR RESISTIVE MEMORIES |
| 摘要 |
Subject matter disclosed herein relates to a memory device and method of programming same. |
| 申请公布号 |
US2014143484(A1) |
申请公布日期 |
2014.05.22 |
| 申请号 |
US201414165265 |
申请日期 |
2014.01.27 |
| 申请人 |
MICRON TECHNOLOGY INC. |
发明人 |
BARKLEY GERALD;SHETTY SUNIL;MARTINELLI ANDREA |
| 分类号 |
G06F12/02 |
主分类号 |
G06F12/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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