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Verfahren zum Herstellen eines Charge-trapping-Bauelements, bei dem auf einer Oberseite eines Substrats (32) eine Gatedielektrikumschicht (24, 25, 26) und darauf eine Gateelektrode angeordnet werden, eine Implantation (106, 108) von Dotierstoff in an die Gateelektrode angrenzende Bereiche des Substrates (32) vorgenommen wird, so dass jeweils mindestens ein Implantierungsgebiet (13, 13a, 13b, 54) mit einem Profil der Dotierstoffkonzentration erzeugt wird, das für ein Source-/Draingebiet (11, 13) vorgesehen ist, das Profil der Dotierstoffkonzentration zumindest eines Source-/Draingebietes (13) so ausgebildet wird, dass die Dotierstoffkonzentration in einem dem anderen Source-/Draingebiet (11) zugewandten Bereich in der Richtung zu dem anderen Source-/Draingebiet (11) hin differentiell stärker abnimmt als in einem von der Oberseite des Substrates (32) beabstandeten Bereich in der von der Oberseite des Substrates (32) weg weisenden Richtung, die Ausbildung dieses Profils der Dotierstoffkonzentration mindestens eine Implantation (106) zur Ausbildung eines hoch dotierten Implantierungsgebietes (13b) und eine Implantation (108) zur Ausbildung eines niedrig dotierten Implantierungsgebietes (54) umfasst, die Implantation (106) zur Ausbildung des hoch dotierten Implantierungsgebietes (13b) und die Implantation (108) zur Ausbildung des niedrig dotierten Implantierungsgebietes (54) mit Dotierstoffen durchgeführt werden, die für den gleichen Leitfähigkeitstyp vorgesehen sind, und das niedrig dotierte Implantierungsgebiet (54) tiefer in das Substrat (32) hinein reichend ausgebildet wird als das hoch dotierte Implantierungsgebiet (13b). |
