Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird bereitgestellt. Das Verfahren umfasst Folgendes: Ausbilden von mehreren Halbleitermesas (1), die sich zu einer Oberseite (101) erstrecken, in einem Halbleitersubstrat (40), so dass benachbarte Halbleitermesas (1) durch entweder einen im Wesentlichen leeren Graben (50) oder einen Graben (50), der im Wesentlichen mit einer Opferschicht (2) gefüllt ist, die in Bezug auf die Halbleitermesas (1) selektiv ätzbar ist, voneinander beabstandet sind; Ausbilden einer Stützstruktur (10), die die Halbleitermesas (1) mechanisch verbindet, die durch entweder den im Wesentlichen leeren Graben (50) oder den Graben (50), der im Wesentlichen mit der Opferschicht (2) gefüllt ist, voneinander beabstandet sind; und Bearbeiten des Halbleitersubstrats (40) von der Oberseite (101), während die Halbleitermesas (1) über die Stützstruktur (10) mechanisch verbunden sind.