Nichtflüchtige Speicherzellen-Anordnung

摘要

Nichtflüchtige Speicherzellen-Anordnung (400),•mit einer Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherzellen (207), wobei jede nichtflüchtige Speicherzelle (207) von einem Speichertransistor (201) gebildet wird, in welchem elektrische Ladungsträger nichtflüchtig speicherbar sind,•wobei die Speichertransistoren in einer Matrix mit mehreren Zeilen (401, 402, 403, 404) und Spalten (405, 406, 407, 408) angeordnet sind,•wobei ein erster Source/Drain-Anschluss (501) jedes Speichertransistors einer ersten Spalte mit einer elektrisch leitfähigen Leiterbahn (411) in einer ersten Metallisierungsebene (M1) verbunden ist, und•wobei ein erster Source/Drain-Anschluss (508) jedes Speichertransistors einer zu der ersten Spalte benachbarten zweiten Spalte mit einer elektrisch leitfähigen Leiterbahn (510) in einer zweiten Metallisierungsebene (M2) verbunden ist, wobei die zweite Metallisierungsebene (M2) ungleich der ersten Metallisierungsebene (M1) ist, wobei die Leiterbahnen (411, 510) der ersten (M1) und der zweiten Metallisierungsebene (M2) parallel verlaufen.