| 摘要 |
Depositionssysteme umfassen eine Reaktionskammer, einen Substrathalteaufbau, der in der Kammer angeordnet ist, um ein Substrat in der Reaktionskammer zu halten, und ein Gaseinführsystem zum Injizieren eines oder mehrerer Vorläufergase in die Reaktionskammer. Das Gaseinführsystem umfasst wenigstens einen Vorläufergasofen, der wenigstens teilweise in der Reaktionskammer angeordnet ist. Verfahren zum Deponieren von Materialien umfassen das separate Führen eines ersten Vorläufergases und eines zweiten Vorläufergases in eine Reaktionskammer, das Führen des ersten Vorläufergases durch wenigstens einen Vorläufergas-Flusspfad, der sich durch wenigstens einen Vorläufergasofen in der Reaktionskammer erstreckt, und, nach dem Erhitzen des ersten Vorläufergases in dem wenigstens einen Vorläufergasofen, das Mischen der ersten und zweiten Vorläufergase in der Reaktionskammer über einem Substrat. |
