| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p型外延层和第一n+区域；以及穿过所述第一n+区域和所述p型外延层形成沟道；其中，所述沟道的形成包括：在所述第一n+区域上形成感光层图形；通过应用所述感光层图形作为掩模来蚀刻所述第一n+区域和所述p型外延层；在移除所述感光层图形之后，通过在所述第一n+区域上应用非晶碳来形成缓冲层；通过蚀刻所述缓冲层以形成缓冲层图形；应用所述缓冲层图形作为掩模来蚀刻；各向同性地蚀刻以形成所述沟道的第二部分；以及移除所述缓冲层图形。 | ||
| 申请公布号 | CN103811350A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201310018246.7 | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 现代自动车株式会社 | 发明人 | 郑永均;洪坰国;李钟锡;千大焕 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n‑型外延层、p型外延层和第一n+区域；以及穿过所述第一n+区域和所述p型外延层形成沟道，并且所述沟道包括具有线性剖面的第一部分和椭圆形的第二部分；其中，所述沟道的形成包括：在所述第一n+区域上形成感光层图形；通过应用所述感光层图形作为掩模来蚀刻所述第一n+区域和所述p型外延层以形成第一沟道；在移除所述感光层图形之后，通过在所述第一n+区域和所述第一沟道上应用非晶碳来形成缓冲层；通过蚀刻所述缓冲层以暴露所述第一沟道的底部来形成缓冲层图形；通过应用所述缓冲层图形作为掩模来蚀刻所述第一沟道的底部以形成第二沟道；各向同性地蚀刻所述第二沟道以形成所述沟道的第二部分；以及移除所述缓冲层图形。 | ||
| 地址 | 韩国，首尔 | ||