发明名称 |
投影式光刻机分层曝光进行三维光刻的方法 |
摘要 |
一种利用分层曝光实现三维光刻的方法,包括下述步骤:(1)提供一掩模,该掩模表面形成有多数标记图案区域,以及提供一基底,该基底包括倾斜结构,该倾斜结构具有与该些多数标记图案区域分别对应之曝光区域;(2)上该掩模,上该基底,并进行全局对准;(3)透过照明系统调整照明位置,照明该掩模上的一个标记图案区域;(4)移动该基底位置,使该基底的倾斜结构上与该标记图案区域对应的曝光区域置处于该标记图案区域的空间像处并进行曝光;(5)重复步骤(3)和(4),直到该掩模上所有的标记图案区域完成曝光。 |
申请公布号 |
CN102540746B |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201010606311.4 |
申请日期 |
2010.12.22 |
申请人 |
上海微电子装备有限公司 |
发明人 |
张俊;陈勇辉;杨志勇 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京连和连知识产权代理有限公司 11278 |
代理人 |
王光辉 |
主权项 |
一种利用分层曝光实现三维光刻的方法,包括下述步骤:(1)提供一掩模,该掩模表面形成有多数标记图案区域,以及提供一基底,该基底包括倾斜结构,该倾斜结构具有与该些多数标记图案区域分别对应之曝光区域;(2)上该掩模,上该基底,并进行全局对准;(3)透过照明系统调整照明位置,照明该掩模上的一个标记图案区域;(4)移动该基底位置,使该基底的倾斜结构上与该标记图案区域对应的曝光区域处于该标记图案区域的空间像处并进行曝光;以及(5)重复步骤(3)和(4),直到该掩模上所有的标记图案区域完成曝光。 |
地址 |
201203 上海市浦东区张江高科技园区张东路1525号 |