MEMS器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有金属互连结构；在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质为无定形碳；刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽；在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层；采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层，直至露出所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层，并曝露出第一牺牲层，所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层，并图形化所述牺牲介质层，再形成介质层的方法，避免了对无定形碳的研磨，能够缩短生产周期，极大提高了生产效率。

主权项

一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有金属互连结构； 在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质为无定形碳； 刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽； 在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层； 采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层，直至露出所述第一牺牲层； 在第一牺牲层表面形成微机械结构层，并曝露出第一牺牲层，所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接; 在所述微机械结构层以及第一牺牲层表面形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的材质与第一牺牲层相同； 刻蚀所述第二牺牲层形成第二凹槽； 在所述第二牺牲层表面覆盖形成第二介质层； 采用化学机械研磨工艺减薄所述第二介质层，直至露出所述第二牺牲层； 在所述第二牺牲层的表面形成隔离层； 刻蚀所述隔离层形成通孔，所述通孔露出第二牺牲层； 通过所述通孔去除第二牺牲层以及第一牺牲层; 在所述隔离层表面形成覆盖层，且所述覆盖层覆盖通孔。