发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明涉及发光器件。根据实施方案的发光器件包括:发光结构,其具有第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层;设置在第一导电半导体层上的多个第一电极;电连接至第二导电半导体层的第二电极;设置在第二电极下方的导电支承构件;分别将第一电极电连接至导电支承构件的多个第一连接部;以及电连接至第二电极的第二连接部,其中第一电极在第一导电半导体层的顶表面上的彼此间隔开。 |
申请公布号 |
CN103811619A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201310530407.0 |
申请日期 |
2013.10.31 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
丁焕熙 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;全万志 |
主权项 |
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的有源层以及在所述有源层下方的第二导电半导体层;多个第一电极,所述多个第一电极设置在所述第一导电半导体层上;第二电极,所述第二电极电连接至所述第二导电半导体层;导电支承构件,所述导电支承构件设置在所述第二电极下方;多个第一连接部,所述第一连接部分别将所述第一电极电连接至所述导电支承构件;以及第二连接部,所述第二连接部电连接至所述第二电极,其中所述第一电极在所述第一导电半导体层的顶表面上彼此间隔开。 |
地址 |
韩国首尔 |