| 发明名称 | 半导体光电元件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体光电元件的制作方法，其包含提供一第一基板、形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于第一基板上、提供一第二基板、转移第二半导体外延叠层至第二基板上、切割第一基板以形成一第一半导体光电元件包含上述第一半导体外延叠层、以及切割第二基板以形成一第二半导体光电元件包含上述第二半导体外延叠层。 | ||
| 申请公布号 | CN103811593A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210451045.1 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 林俊宇;倪庆怀;陈怡名 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件的制作方法，包含：提供一第一基板；形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于该第一基板上；提供一第二基板；转移该第二半导体外延叠层至该第二基板上；切割该第一基板以形成一第一半导体光电元件包含该第一半导体外延叠层；以及切割该第二基板以形成一第二半导体光电元件包含该第二半导体外延叠层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||