| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电层；至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙穿过第一导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分第一导电层；第二导电层，所述第二导电层层叠在第一导电层上；以及第二缝隙，所述第二缝隙在与第一缝隙不同的位置穿过第二导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分第二导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103811497A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201310158489.0 | 申请日期 | 2013.05.02 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李起洪;皮昇浩;朴寅洙 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电层；至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙穿过所述第一导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分所述第一导电层；第二导电层，所述第二导电层层叠在所述第一导电层上；以及第二缝隙，所述第二缝隙在与所述第一缝隙不同的位置穿过所述第二导电层，并且被配置成以所述存储块为单位来划分所述第二导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||