MEMS压敏传感器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种MEMS压敏传感器件的制作方法，包括如下步骤：1)先在硅片上淀积一阻挡层；2)刻蚀形成空腔；3)淀积第一层牺牲层；4)CMP研磨第一层牺牲层；5)剥离所述阻挡层，接着淀积第二层牺牲层；6)之后形成支撑柱通孔；7)在硅片表面淀积压敏传感薄膜；8)而后刻蚀压敏传感薄膜至第二层牺牲层；9)湿法去除第二层牺牲层；10)淀积保护层，以密封空腔。本发明的制作方法中，在空腔刻蚀之前先淀积一阻挡层，作为CMP研磨第一层牺牲层时的阻挡层，而后去除该阻挡层，再次淀积第二层牺牲层，消除了单层牺牲层的CMP工艺流程中带来的面内不均一性。

主权项

一种MEMS压敏传感器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅片上淀积一阻挡层；2)光刻工艺定义出空腔的位置，刻蚀所述阻挡层和所述硅片形成空腔；3)淀积第一层牺牲层，所述第一层牺牲层填充所述空腔；4)采用CMP工艺研磨所述第一层牺牲层至所述阻挡层上；5)剥离所述阻挡层，接着淀积第二层牺牲层；6)光刻工艺定义出支撑柱通孔的位置，之后刻蚀所述第二层牺牲层和所述硅片形成支撑柱通孔；7)在第二层牺牲层上淀积压敏传感薄膜；8)光刻工艺定义出压敏传感薄膜的图形，而后刻蚀所述压敏传感薄膜至第二层牺牲层；9)湿法去除所述第二层牺牲层和所述第一层牺牲层；10)淀积保护层，以密封所述空腔。