| 发明名称 | 一种用于密集波分复用系统的大张角宽带自准直光探测器 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种用于密集波分复用系统的大张角宽带自准直光探测器，包括衬底（1）、光子晶体（2）、波导（3）、垂直多层介质膜结构（4）与InGaAs PIN光电二极管（5），光子晶体（2）制备在衬底（1）的前端，垂直多层介质膜结构（4）生长在衬底（1）的后端的正面，波导（3）连接衬底（1）前端的光子晶体（2）和后端的垂直多层介质膜结构（4），InGaAs PIN光电二极管（5）键合在垂直多层介质膜结构（4）的上方。本实用新型的优点在于：加入了光子晶体，实现了光信号宽角度入射，同时，多层介质膜构成的多腔结构滤波器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，同时降低了通信成本，更加有利于与有源/无源光器件的集成。 | ||
| 申请公布号 | CN203607423U | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201320665733.8 | 申请日期 | 2013.10.25 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 发明人 | 范鑫烨;郭进;冯俊波;藤婕;崔乃迪 |
| 分类号 | H01L31/0232(2014.01)I;G02B6/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0232(2014.01)I |
| 代理机构 | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人 | 丁瑞瑞 |
| 主权项 | 一种用于密集波分复用系统的大张角宽带自准直光探测器，其特征在于：包括衬底（1）、光子晶体（2）、波导（3）、垂直多层介质膜结构（4）与InGaAs PIN光电二极管（5），所述光子晶体（2）制备在衬底（1）的前端，所述垂直多层介质膜结构（4）生长在衬底（1）的后端的正面，所述波导（3）连接衬底（1）前端的光子晶体（2）和后端的垂直多层介质膜结构（4），所述InGaAs PIN光电二极管（5）键合在垂直多层介质膜结构（4）的上方。 | ||
| 地址 | 230001 安徽省合肥市蜀山区五里墩淠河路88号 | ||