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经营范围
发明名称
SOI基板的制造方法和半导体装置的制造方法
摘要
申请公布号
TWI438864
申请公布日期
2014.05.21
申请号
TW097124555
申请日期
2008.06.30
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 日本
发明人
下村明久;大沼英人;挂端哲弥;牧野贤一郎
分类号
H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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