| 发明名称 | 测量多晶硅温度变化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R<sub>0</sub>，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；测量所述金属在温度变化△T后的电阻R<sub>1</sub>；根据所述金属的TCR、R<sub>0</sub>和R<sub>1</sub>，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。本发明还公开了一种测量多晶硅温度变化的方法。采用本发明能够获得多晶硅在电流作用下的温度变化。 | ||
| 申请公布号 | CN103808425A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210442454.5 | 申请日期 | 2012.11.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩;陈芳 |
| 分类号 | G01K7/18(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种测量多晶硅温度变化的方法，该方法包括：测量与所述多晶硅接触且位于同一层的金属在室温下的电阻R<sub>0</sub>，以及所述金属在各个温度点下的电阻，获得所述金属的电阻温度系数TCR；将产生温度变化的预定电流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在电流I作用下产生的温度变化△T与所述金属相同；测量所述金属在温度变化△T后的电阻R<sub>1</sub>；根据所述金属的TCR、R<sub>0</sub>和R<sub>1</sub>，获得在所述电流I的作用下，所述多晶硅的温度变化△T。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||