发明名称 |
离子注入装置及离子注入方法 |
摘要 |
本发明提供一种有助于提高生产率的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(10)具备:离子源(18),具备用于提取带状束(12)的提取电极系统(24);及工艺腔室(26),从离子源(18)接收带状束(12)。工艺腔室(26)构成为使基板(S)通过离子束照射区域(14)。带状束(12)具有根据离子源(18)的离子束生成条件决定的特性。在基板(S)通过离子束照射区域(14)期间,带状束(12)自提取电极系统(24)向离子束照射区域(14)保持射束特性而直接照射到在离子束照射区域(14)移动中的基板(S)上。 |
申请公布号 |
CN103811585A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201310498734.2 |
申请日期 |
2013.10.22 |
申请人 |
斯伊恩股份有限公司 |
发明人 |
佐藤正辉 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
胡建新;朴勇 |
主权项 |
一种离子注入装置,其特征在于,具备:离子源,具备等离子体室、用于在所述等离子体室生成等离子体的等离子体源、及用于从所述等离子体室提取具有长条形射束剖面的离子束的提取电极系统;处理室,与所述离子源相邻设置,并从所述提取电极系统接收所述离子束,具备用于使基板沿通过离子束照射区域的基板移动路径移动的基板移动机构;及控制部,用于控制所述离子源的离子束生成条件,所述离子束具有根据所述离子束生成条件决定的射束电流,所述离子束从所述提取电极系统保持所述射束电流而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。 |
地址 |
日本东京都 |