半导体装置

摘要

一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层；比第一半导体层的杂质浓度低的第一导电型的第二半导体层；设置在第二半导体层的一部分上的第二导电型的第一半导体区域；与第一半导体区域相接的第二导电型的第二半导体区域；设置在第一半导体区域的至少一部分上的第二导电型的第三半导体区域；以及设置在第一半导体区域、第二半导体区域及第三半导体区域之上的第二电极。第三半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度及第二半导体区域的与第二电极的接触面上的杂质浓度高。由第一半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度比由第二半导体区域和第一半导体层夹着的第二半导体层的厚度薄。

主权项

一种半导体装置，其中，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在上述第一电极与上述第二电极之间；第一导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层与上述第二电极之间，具有比上述第一半导体层的杂质浓度低的杂质浓度；第二导电型的第一半导体区域，设置在上述第二半导体层的一部分与上述第二电极之间；第二导电型的第二半导体区域，设置在上述第二半导体层的与上述一部分不同的部分与上述第二电极之间，与上述第一半导体区域相接；以及第二导电型的第三半导体区域，设置在上述第一半导体区域的至少一部分与上述第二电极之间，上述第三半导体区域的与上述第二电极相接的面上的上述第三半导体区域的杂质浓度，比上述第一半导体区域的与上述第二电极相接的面上的上述第一半导体区域的杂质浓度及上述第二半导体区域的与上述第二电极相接的面上的上述第二半导体区域的杂质浓度高，由上述第一半导体区域和上述第一半导体层夹着的上述第二半导体层的厚度，比由上述第二半导体区域和上述第一半导体层夹着的上述第二半导体层的厚度薄。