基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法

摘要

本发明提出一种基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法，该装置包括：真空反应腔；样品台，样品台位于真空反应腔的底部；ICP激发单元，ICP激发单元位于真空反应腔的顶部；具有第一进气口的第一气路，用于向真空反应腔通入第一气态反应源；具有第二进气口的第二气路，用于向真空反应腔通入第二气态反应源；其中，ICP激发单元用于激发第一气态反应源和第二气态反应源电离分解，样品台可加热以将第一气态反应源和第二气态反应源热裂解，以进行外延生长。本发明的外延生长装置及方法具有生长温度低、薄膜质量好的优点。

主权项

一种基于ICP的化合物半导体的外延生长装置，其特征在于，包括：真空反应腔；样品台，所述样品台位于所述真空反应腔的底部；ICP激发单元，所述ICP激发单元位于所述真空反应腔的顶部；具有第一进气口的第一气路，用于向所述真空反应腔通入第一气态反应源；具有第二进气口的第二气路，用于向所述真空反应腔通入第二气态反应源；其中，所述ICP激发单元用于激发所述第一气态反应源和第二气态反应源电离分解，所述样品台可加热以将所述第一气态反应源和第二气态反应源热裂解，以进行外延生长。