基于薄膜晶体管的微波毫米波集成电路、功率交换电路及其制作方法

摘要

本发明涉及基于薄膜晶体管的微波毫米波集成电路、功率交换电路及其制作方法，使在制作该集成电路的有源和无源器件后，不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底。同时也提供以不具毒性的制作的有源器件。利用不具毒性的半导体制作薄膜晶体管的毫米波集成电路并不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底，使得制作成本降低并减小环境污染。也提供可减小或免除对准，搭线手续的毫米波电路结构，以简化毫米波电路制造的程序。

主权项

一种具有倒反T‑形栅极或倒反Г‑形栅极及平整通道层的薄膜晶体管的微波毫米波集成电路及功率交换电路，其特征在于：所述的薄膜晶体管由下述所构成： 一个基座，有一基座厚度；一个第一介质层，有第一介质层厚；一个第一栅极，有第一栅极头部和第一栅极根部，该第一栅极部分被嵌在该第一介质层中，该第一栅极根部有第一栅极根部长度及第一栅极根部厚度；一个第三薄介质层，有第三薄介质层厚度；一个第一半导体通道层，有第一半导体通道层厚度，该第一半导体通道层和第一栅极在其栅极长的方向的范围和该第一栅极重叠；一个源极层；一个漏极层；一个第四介质层作为保护和钝化之用，及一层背面金属层。