| 发明名称 | 低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法。其表达式为aMgO-bSiO<sub>2</sub>-cTiO<sub>2</sub>-dCaCO<sub>3</sub>，其中a、b、c和d分别独立表示摩尔比率，并满足下述条件：40.0mol%≤a≤50.0mol%，35.0mol%≤b≤50.0mol%，0mol%≤c≤15.0mol%；0mol%≤d≤20.0mol%，a+b+c+d=100mol%。本发明由于采用了上述材料组成及其制备方法，使陶瓷材料在中温烧结的条件下可以保持高介电常数Er=6.0～7.0，Qf>10000GHz，可调的温度系数τf<±30ppm/℃，并且粉料中不含铅、镉和砷等有毒元素。 | ||
| 申请公布号 | CN103803954A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201310722758.1 | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 发明人 | 吉岸 |
| 分类号 | C04B35/14(2006.01)I;C04B35/04(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋 |
| 主权项 | 一种低介电常数的微波介质陶瓷材料，其特征在于，其组成表达式为aMgO‑bSiO<sub>2</sub>‑cTiO<sub>2</sub>‑dCaCO<sub>3</sub>，其中a、b、c和d分别独立表示摩尔比率，并满足下述条件：40.0mol%≤a≤50.0mol%，35.0mol%≤b≤50.0mol%，0mol%≤c≤15.0mol%；0mol%≤d≤20.0mol，a+b+c+d=100mol%。 | ||
| 地址 | 214174 江苏省无锡市惠山区惠山大道1608号 | ||