| 发明名称 | 氮化硅烧结体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化硅烧结体具有实质上无取向的晶体，热传导系数为100W/mK以上，而且按照JIS R1601测定的常温三点弯曲强度为500MPa以上。该烧结体可以通过具备以下工序的方法来合适地制造：将含有氮化硅粉末的原料粉末在1400～1750℃之间的恒定温度下保持1～100小时的老化工序；从老化工序中的温度以1～100℃/h的升温速度进行升温的升温工序；以及在1800～2000℃之间的恒定温度下烧成30～60小时的烧成工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103813997A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201380003146.5 | 申请日期 | 2013.01.25 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 有马峻;松村保范;梶野仁 |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/584(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张楠;陈建全 |
| 主权项 | 一种氮化硅烧结体，其特征在于，氮化硅的晶体实质上无取向，热传导系数为100W/mK以上，而且按照JIS R1601测定的常温三点弯曲强度为500MPa以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||