| 发明名称 |
一种氮化镓基发光二极管的制备方法 |
| 摘要 |
一种氮化镓基发光二极管的制备方法，涉及光电技术领域。本发明的方法步骤为：<img file="DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="16" he="24" />在衬底上沉积外延氮化镓层；<img file="DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="16" he="24" />在外延氮化镓层表面用电子束蒸发的方法蒸镀透明导电膜；<img file="DEST_PATH_IMAGE006.GIF" wi="16" he="24" />在器件表面刻蚀分出N型氮化镓区域和切割道区域；<img file="DEST_PATH_IMAGE008.GIF" wi="16" he="24" />用剥离与蒸镀工艺分别在N型氮化镓区域和切割道区域表面各制作一个金属电极；<img file="DEST_PATH_IMAGE010.GIF" wi="16" he="24" />用剥离与溅射工艺在N型氮化镓区域和切割道区域表面制作一层介质膜；<img file="DEST_PATH_IMAGE012.GIF" wi="16" he="24" />用等离子化学气相沉积与ICP设备刻蚀的方法在器件表面覆盖钝化膜。同现有技术相比，本发明通过在透明导电薄膜上增加一层介质膜，有效提高发光二极管的出光效率。 |
| 申请公布号 |
CN103811596A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
| 申请号 |
CN201210458721.8 |
申请日期 |
2012.11.15 |
| 申请人 |
同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
李宁宁;王立彬;蔡炯祺 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种氮化镓基发光二极管的制备方法，其步骤为： <img file="2012104587218100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="17" he="42" />在衬底（1）上沉积外延氮化镓层（2）；<img file="2012104587218100001DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="17" he="42" />在外延氮化镓层（2）表面用电子束蒸发的方法蒸镀透明导电膜（3）；<img file="2012104587218100001DEST_PATH_IMAGE006.GIF" wi="17" he="42" />在器件表面刻蚀分出N型氮化镓区域和切割道区域（4）；<img file="2012104587218100001DEST_PATH_IMAGE008.GIF" wi="17" he="42" />用剥离与蒸镀工艺分别在N型氮化镓区域和切割道区域（4）表面各制作一个金属电极（5）；<img file="2012104587218100001DEST_PATH_IMAGE010.GIF" wi="17" he="42" />用剥离与溅射工艺在N型氮化镓区域和切割道区域（4）表面制作一层介质膜（6）；<img file="2012104587218100001DEST_PATH_IMAGE012.GIF" wi="17" he="42" />用等离子化学气相沉积与ICP设备刻蚀的方法在器件表面覆盖钝化膜（7）。 |
| 地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |
