沈积含锑相变材料至基材之方法及形成相变记忆体电路之方法,申请号TW099110931-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	沈积含锑相变材料至基材之方法及形成相变记忆体电路之方法
摘要
申请公布号	TWI438299	申请公布日期	2014.05.21
申请号	TW099110931	申请日期	2010.04.08
申请人	美光科技公司美国	发明人	奎克　提摩西Ａ;马许　尤金Ｐ
分类号	C23C16/18;C23C16/44;H01L45/00;H01L27/24;H01L21/8247	主分类号	C23C16/18
代理机构		代理人	陈长文台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址	美国

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