发明名称 |
一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法,包括下列步骤:1:准备一片P型硅片;2:由光罩定义出深N阱一注入区域并注入;3:由光罩定义出深N阱二注入区域并注入;4:高温推进形成横向和纵向的耐压层;5:由光罩定义出低压N阱、低压P阱注入区域并注入;进行高温退火;6:生长氧化层并淀积SiN,由光罩定义有源区,并刻蚀SiN,在漂移区上方形成场氧,将SiN湿法去除;7:生长栅氧并淀积多晶硅,光罩定义形成栅极多晶硅和漂移区场氧上的场板;8:离子注入形成源区和漏区;9:进行后续工艺。本发明采用较简单的双深N阱扩散工艺,在超高压BCD工艺内实现耐压达到700V以上隔离结构,工艺简单,成本低。 |
申请公布号 |
CN103811402A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201210461606.6 |
申请日期 |
2012.11.15 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
邢军军 |
分类号 |
H01L21/761(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/761(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
王函 |
主权项 |
一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法,其特征在于,包括下列工艺步骤:步骤1:准备一片P型硅片,其掺杂浓度由器件设计的耐压决定;步骤2:由光罩定义出深N阱一注入区域,进行P31注入,形成深N阱一;步骤3:由光罩定义出深N阱二注入区域,进行P31注入,形成深N阱二;步骤4:进行高温推进,形成横向和纵向的耐压层;同时推进深N阱一和深N阱二,其浓度和结深由耐压的要求决定;步骤5:由光罩定义出低压N阱注入区域,进行P31注入,形成低压N阱;由光罩定义出低压P阱注入区域,进行B11注入,形成低压P阱;然后进行高温退火;步骤6:在全硅片上生长氧化层并淀积SiN,由光罩定义有源区,并干法刻蚀掉有源区以外的场隔离区上的SiN,在场隔离区上生长场氧作为漂移区场氧,然后将其余SiN采用湿法刻蚀去除;步骤7:生长栅氧并淀积多晶硅,光罩定义形成栅极多晶硅;步骤8:离子注入形成源区和漏区;步骤9:进行后续工艺,包括接触孔,金属层,钝化层工艺将电极引出。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |