发明名称 |
一种氧化铬薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种氧化铬薄膜的制备方法,采用金属有机化学气相沉积方法,包括如下步骤:采用氩气、氢气和氮气中一种或两种以上与水气的混合气体作为反应气体,将铬先驱体蒸气输运至沉积室,铬先驱体在所述反应气体作用下发生分解反应在衬底表面形成氧化铬薄膜,衬底副产物由反应气体载带排出反应室。采用该方法获得的氧化铬薄膜可完全排除薄膜中碳残留,薄膜表面平整、结构致密,膜基结合性能优异。 |
申请公布号 |
CN103805960A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201210441646.4 |
申请日期 |
2012.11.07 |
申请人 |
北京有色金属研究总院 |
发明人 |
李帅;何迪;刘晓鹏;于庆河;邱昊辰;王树茂;蒋利军 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
刘徐红 |
主权项 |
一种氧化铬薄膜的制备方法,采用金属有机化学气相沉积方法,包括如下步骤:采用氩气、氢气和氮气中一种或两种以上与水气的混合气体作为反应气体,将铬先驱体蒸气输运至沉积室,铬先驱体在所述反应气体作用下发生分解反应在衬底表面形成氧化铬薄膜,衬底表面形成的副产物由反应气体载带出反应室。 |
地址 |
100088 北京市西城区新街口外大街2号 |