发明名称 |
铕掺杂铝硅酸钙发光材料、制备方法及其应用 |
摘要 |
一种铕掺杂铝硅酸钙发光材料,其化学式为CaAl<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>8</sub>:xEu<sup>3+</sup>,其中0.0005≤x≤0.09。该铕掺杂铝硅酸钙发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在590nm和620nm波长区都有很强的发光峰,能够得到良好的绿光到蓝光的激发。本发明还提供该铕掺杂铝硅酸钙发光材料的制备方法铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。 |
申请公布号 |
CN102863954B |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201110191523.5 |
申请日期 |
2011.07.08 |
申请人 |
海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
发明人 |
周明杰;王平;陈吉星;黄辉 |
分类号 |
C09K11/64(2006.01)I;H05B33/20(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/64(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
何平 |
主权项 |
一种铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、根据CaAl<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>8</sub>:xEu<sup>3+</sup>各元素化学计量比称取CaO,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,SiO<sub>2</sub>和Eu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉体并混合均匀在900℃~1300℃下烧结0.5小时~5小时制成靶材,其中0.0005≤x≤0.09;步骤二、将步骤一中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体,并将真空腔体的真空度设置为1.0×10<sup>‑3</sup>Pa~1.0×10<sup>‑5</sup>Pa;步骤三、调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm,磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa,氩气工作气体的流量为10sccm~35sccm,衬底温度为250℃~750℃;接着进行制膜,得到薄膜样品;步骤四、将步骤三中得到的薄膜样品于500℃~800℃下真空退火处理1h~3h,得到所述铕掺杂铝硅酸钙发光薄膜。 |
地址 |
518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 |