发明名称 发光器件
摘要 公开了一种发光器件,该发光器件包括衬底、彼此分离并且被布置在衬底上的多个发光单元、以及电连接两个相邻的发光单元的多个导电互连层。每个发光单元包括:发光结构,发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层;第一电极;第二电极;以及蚀刻区域,发光结构还包括第一侧表面和第二侧表面,以及如果在第一侧表面和第二侧表面之间的宽度被定义为W,第二电极被布置在距第一侧表面<img file="DDA0000410995140000011.GIF" wi="85" he="106" />的位置和距发光结构的第一侧表面<img file="DDA0000410995140000012.GIF" wi="89" he="107" />的位置之间的区域中。
申请公布号 CN103811623A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201310553351.0 申请日期 2013.11.08
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 金省均;范熙荣;朱炫承;崔炳然
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王萍;李春晖
主权项 1.一种发光器件,包括:衬底;彼此分离并且被布置在所述衬底上的多个发光单元;以及电连接两个相邻的发光单元的多个导电互连层,其中,所述多个发光单元中的每个发光单元包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层;布置在所述第一导电型半导体层上的第一电极;布置在所述第二导电型半导体层上的第二电极;以及通过对所述发光结构进行部分蚀刻而形成的其中所述第一导电型半导体层被暴露的蚀刻区域,其中,所述发光结构还包括与所述第二电极邻近并且与所述第二电极平行的第一侧表面,和与所述第一侧表面相对并且与所述蚀刻区域接触的第二侧表面,以及如果从顶部看在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间的宽度被定义为W,所述第二电极被布置在距所述发光结构的所述第一侧表面<img file="FDA0000410995110000011.GIF" wi="93" he="116" />的位置和距所述发光结构的所述第一侧表面<img file="FDA0000410995110000012.GIF" wi="95" he="120" />的位置之间的区域中。
地址 韩国首尔