发明名称 |
用于非易失性存储器的部分编程块的读取补偿 |
摘要 |
提供了用于非易失性存储器的部分编程块的读取补偿。在部分编程块中,阈值电压分布可能相对于它们的最终位置而向下移位。在接收到请求以读取存储在块中的页时,可以确定该块是否被部分编程。如果该块被部分编程,则可以在读取所请求的页时进行适当的补偿。这种补偿可以对块中的非易失性存储元件(或页)尚未被编程进行补偿。补偿的量可以基于通过稍后对其他页进行编程而对所请求的页造成的干扰量。补偿可以对由于稍后对其他页进行编程而发生的请求页的阈值电压分布的移位进行补偿。 |
申请公布号 |
CN103814408A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201280040608.6 |
申请日期 |
2012.08.22 |
申请人 |
桑迪士克技术有限公司 |
发明人 |
达纳·李;大和田宪 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
唐京桥;李春晖 |
主权项 |
一种用于操作非易失性存储器的方法,包括:接收请求以读取第一页的数据,所述第一页与成块的非易失性存储元件中的第一组非易失性存储元件相关联(1102);确定第二页是否已经被编程,所述第二页在对页进行编程的序列中跟随所述第一页,所述第二页和与所述第一组非易失性存储元件相邻的第二组非易失性存储元件相关联(1104);以及如果所述第二页尚未被编程,则施加读取校正以读取所述第一页,所述读取校正对至少所述第二页尚未被编程进行补偿(1106)。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |