一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统

摘要

本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统，方法包括：在外围电路中存储N个放电时间，所述N个放电时间按大小排列形成N+1个放电时间区间，在外围电路中分别存储各放电时间区间的统计次数，N为大于1的奇数；当接到读取命令时,依次在放电计时达到N个放电时间时读取页，获取N份读取结果；依据所述读取结果，对所述N+1个放电时间区间的统计次数进行分析，当满足预设调整条件时，对所述N个放电时间或所述N+1个放电时间区间的统计次数进行调整。本发明采用多次读取的方式，暂存每次读取的结果进行比较，配合ECC校验，可有效减少大规模读取中错误读取的概率，提高读取操作的准确性。

主权项

一种高可靠性NAND Flash的读取方法，其特征在于，在所述NANDFlash的外围电路中存储N个放电时间，所述N个放电时间按大小排列形成N+1个放电时间区间，在所述NAND Flash的外围电路中分别存储各放电时间区间的统计次数，所述N为大于1的奇数；当所述NAND Flash接到读取命令时：在灵敏放大器的翻转点施加翻转点比较电压，给所述NAND Flash页施加预设充电电压对各存储单元进行充电并计时，当计时超过预设充电时间阈值时，撤除所述预设充电电压，结束充电并进行放电计时，依次在放电计时达到所述N个放电时间时读取所述NAND Flash页，获取N份读取结果；依据所述N份读取结果，依次确定各存储单元的存储状态和放电到电压等于翻转点比较电压时所处的放电时间区间，当某存储单元放电到电压等于翻转点比较电压时位于某放电时间区间时，将该放电时间区间的统计次数加一，以及，依据所述各存储单元的存储状态确定该NAND Flash页的读取结果；对所述N+1个放电时间区间的统计次数进行分析，当满足预设调整条件时，对所述N个放电时间或所述N+1个放电时间区间的统计次数进行调整。