| 发明名称 | 溅射靶材料、其制备方法、及使用其制备的薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料、其方法及用其制备的薄膜，其中，向Ni-W-系合金添加Cr使得能够在使中间层中的晶粒在保持结晶性的同时显著微细化。本发明的溅射靶材料由Ni-W-Cr合金制成，所述Ni-W-Cr合金包含以原子％计的下列各项：1至20％的W；1至20％的Cr；和余量的Ni。 | ||
| 申请公布号 | CN102405303B | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201080017054.9 | 申请日期 | 2010.02.22 |
| 申请人 | 山阳特殊制钢株式会社 | 发明人 | 岸田敦;泽田俊之 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C19/05(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李新红 |
| 主权项 | 一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料，其中所述溅射靶材料由Ni‑W‑Cr合金制成，所述Ni‑W‑Cr合金包含以原子%计的下列各项：1至20%的W；1至6%的Cr；和余量的Ni。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||