发明名称 有机半导体元件和有机电极
摘要 本发明提供有机半导体元件和有机电极。所述有机半导体元件含有:含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极,所述层中至少之一具有有机半导体活性区;和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极。所述有机电极含有:层压膜,其中由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物的层和受电子化合物的层被层压。<img file="DDA0000048538610000011.GIF" wi="1469" he="387" />通式I。
申请公布号 CN102194998B 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201110050041.8 申请日期 2011.03.02
申请人 株式会社理光;国立大学法人九州大学 发明人 加藤拓司;山本谕;匂坂俊也;田野隆德;篠田雅人;后藤大辅;松本真二;毛利匡贵;油谷圭一郎;安达千波矢;鸟居昌史
分类号 H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I 主分类号 H01L51/44(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 宋莉
主权项 1.有机半导体元件,其包含:含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极,所述层中至少之一具有有机半导体活性区;和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极,其中所述第一和第二有机化合物是一种给电子化合物和一种受电子化合物的组合,其中所述给电子化合物是由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物:<img file="FDA0000423069250000011.GIF" wi="1486" he="414" />通式I其中X是碳原子或氮原子,且多个X彼此相同或不同;和R1~R16各自为氢原子、卤原子、取代或未取代的烷基、未取代的烷氧基、或未取代的硫代烷氧基,并且彼此相同或不同,其中所述取代或未取代的烷基是具有一个或多个碳原子的直链、支化或环状烷基,并且还任选地含有卤原子、氰基、苯基、或者被直链或支化烷基取代的苯基;并且其中所述受电子化合物是富勒烯。
地址 日本东京都