一种形成氧化层的方法

摘要

本发明公开了一种形成氧化层的方法，应用于半导体制造领域的CMOS管场氧化层形成过程中，所述方法包括：向置放有已经形成N阱、P阱的第一CMOS管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体，对所述第一CMOS管半成品进行干氧氧化，获得第二CMOS管半成品；向所述加工炉中通入符合与所述第一预定条件不同的第二预定条件的第二气体，对所述第二CMOS管半成品进行湿氧氧化，获得第三CMOS管半成品。

主权项

一种形成氧化层的方法，应用于CMOS管场氧化层形成过程中，其特征在于，所述方法包括：向置放有已经形成N阱、P阱的第一CMOS管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体，对所述第一CMOS管半成品进行干氧氧化，获得第二CMOS管半成品，其中，所述第二CMOS管半成品的所述N阱与所述P阱之间用于形成场氧化层的第一区域形成有第一氧化层；向所述加工炉中通入符合与所述第一预定条件不同的第二预定条件的第二气体，对所述第二CMOS管半成品进行湿氧氧化，获得第三CMOS管半成品，其中，所述第三CMOS管半成品的所述第一区域形成有第二氧化层，所述第二氧化层是在所述第一氧化层的基础上增加了氧化层的厚度而形成的氧化层。