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非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，其特征是对局部俘获型多值单元的存储操作采用以下步骤：1）首先将局部俘获型存储单元从阈值电压为2V～3V初始状态擦除到阈值电压‑2V～‑1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同，且存储位的存储层中存储的电荷沿着沟道均匀地分布；2）所述存储单元的阈值电压调整到预定值‑2V～‑1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对所述存储单元进行多值存储的编程操作；采用衬底正偏压抑制第二代热电子注入的CHE编程方法，或者采用脉冲激发的衬底热电子注入PASHEI编程方法实现电荷局部的存储；3）通过改变栅极或漏极的编程电压、或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态，将所述存储单元阈值电压分为8个以上的区间；步骤1）中采用双边带‑带隧穿热空穴注入BBHH的擦除方法，即在源、漏极同时加一个正偏电压，栅极加一个负偏电压，衬底接地，将沟道区域和源、漏结上方存储层的电荷均匀地擦除；步骤1）之后防止过擦除现象的发生，即消除擦除后单元的阈值电压小于预定的负值；采用双边的碰撞电离产生衬底热电子注入IIHE的编程方法，即在源、漏极同时加一个正偏电压，栅极加一个正偏电压，衬底接地，将衬底碰撞电离产生的热电子均匀地注入到存储层中，使沟道区的阈值电压分布处处相同；步骤2）中当采用衬底正偏压CHE编程方法，存储单元的衬底接～2V的正偏压，漏极接3V～5V的正偏压，栅极接5V～8V的正偏压，源极接地；当采用脉冲激发的衬底热电子注入PASHEI编程方法，该编程方法分为前后两个连续的阶段：在第一阶段将存储单元的漏极接～‑2V的负偏压，栅极接～0.2V的正偏压，衬底和源极接地；在第二阶段，将存储单元的漏极接2.5V～4V正偏压，栅极接4V～5V正偏压，衬底和源极接地。 |
