制作半导体器件结构的方法

摘要

本发明提出了一种制作半导体器件结构的方法，包括提供前端器件层结构，具有衬底和位于该衬底上方的栅极结构，栅极结构两侧的衬底中形成有有源区，所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层、层间介质层和图案化的掩膜层，该图案化的掩膜层具有对应于需要制备位线接触孔的第一开口，且该第一开口暴露出所述层间介质层的表面；以所述图案化的掩膜层为掩膜，对所述第一开口下方的层间介质层进行第一刻蚀，再对剩余的所述层间介质层进行第二刻蚀以将其全部去除，以暴露出所述有源区和所述栅极结构上方的所述刻蚀停止层；对所述暴露出的刻蚀停止层进行第三刻蚀以将其全部去除，形成位线接触孔。本发明的方法可证接触孔具有理想的外形轮廓。

主权项

一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于：提供前端器件层结构，该前端器件层结构具有衬底和位于该衬底上方的栅极结构，所述栅极结构两侧的所述衬底中形成有有源区，所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层、层间介质层和图案化的掩膜层，该图案化的掩膜层具有对应于需要制备位线接触孔的第一开口，且该第一开口暴露出所述层间介质层的表面；以所述图案化的掩膜层为掩膜，对所述第一开口下方的层间介质层进行第一刻蚀，直至暴露所述栅极上方的所述刻蚀停止层；对剩余的所述层间介质层进行第二刻蚀以将其全部去除，以暴露出所述有源区和所述栅极结构上方的所述刻蚀停止层；对所述暴露出的刻蚀停止层进行第三刻蚀以将其全部去除，在所述半导体器件结构中形成位线接触孔，所述位线接触孔同时暴露出所述有源区的所述栅极和源极/漏极；其中，所述第一刻蚀的刻蚀气体为碳氟气体，所述第二刻蚀的刻蚀气体为包含氧气的刻蚀气体。