应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构

摘要

本发明公开了一种应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构，包括并联的两个支路，每个支路为一个基本电路结构或多个串联的基本电路结构。所述基本电路结构包括一个HBT、连接在该HBT的基极和集电极之间的一个电容、连接在该HBT的基极和发射极之间的一个电阻；该HBT的集电极和发射极分别作为所述基本电路结构的两端。所述并联的两个支路的两端分别连接两个电源。本发明可以集成在现有的简化锗硅工艺之中，并且具有较高的静电泻放能力，有利于缩小版图面积。

主权项

一种应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构，其特征是，包括并联的两个支路，每个支路为一个基本电路结构或多个串联的基本电路结构；所述基本电路结构包括一个HBT（异质结双极晶体管）、连接在该HBT的基极和集电极之间的一个电容、连接在该HBT的基极和发射极之间的一个电阻；该HBT的集电极和发射极分别作为所述基本电路结构的两端；所述并联的两个支路的两端分别连接两个电源；当一个电源向另一个电源发生静电泻放时，一条支路上的HBT开启以泻放静电电流，另一条支路上HBT中寄生的正向二极管也泻放静电电流；所述HBT中寄生的正向二极管为该HBT的基极和集电极构成、或者为该HBT的基极和发射极构成。