用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法

摘要

本发明涉及一种用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片上涂覆底部抗反射涂层；以第一温度对晶片烘烤持续第一时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第一厚度；以第二温度对晶片烘烤持续第二时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第二厚度；使用第一厚度和第二厚度来测量底部抗反射涂层的材料的挥发特性。根据本发明的方法，可以在半导体制造过程中，对于不同底部抗反射涂层材料的“挥发度”特性进行测量。能够保证在进行测量和分析后得出准确的结论，有助于通过简便的步骤得到底部抗反射涂层材料的最优方案，用以选择最低“挥发度”特性的底部抗反射涂层材料，从而降低底部抗反射涂层导致的机台故障等风险。

主权项

一种用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片上涂覆底部抗反射涂层；以第一温度对所述晶片烘烤持续第一时间以使所述底部抗反射涂层中的溶剂挥发，其中所述第一温度为80‑140摄氏度；测量所述底部抗反射涂层的厚度以得到第一厚度；接着以第二温度对所述晶片烘烤持续第二时间以使所述底部抗反射涂层中的聚合物发生交联并且释放出小分子，其中所述第二温度为140‑250摄氏度；测量所述底部抗反射涂层的厚度以得到第二厚度；使用所述第一厚度和所述第二厚度来测量所述底部抗反射涂层的材料的挥发特性。