发明名称 离子注入装置及离子注入方法
摘要 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(100)具备用于从离子源(102)向注入处理室(106)输送离子的射束线装置(104)。注入处理室(106)具备对射束照射区域(105)机械式地扫描被处理物(W)的物体保持部(107)。射束线装置(104)能够在适合输送用于向被处理物(W)进行高剂量注入的低能量/高电流射束的第1注入设定结构(S1)或适合输送用于向被处理物(W)进行低剂量注入的高能量/低电流射束的第2注入设定结构(S2)下作动。在第1注入设定结构(S1)和第2注入设定结构(S2)中,射束线中成为基准的射束中心轨道自离子源(102)至注入处理室(106)相同。
申请公布号 CN103811255A 申请公布日期 2014.05.21
申请号 CN201310498683.3 申请日期 2013.10.22
申请人 斯伊恩股份有限公司 发明人 月原光国;椛泽光昭
分类号 H01J37/317(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军
主权项 一种离子注入装置,其特征在于,具备:离子源,生成离子并作为离子束引出;注入处理室,用于向被处理物注入所述离子;及射束线装置,提供用于从所述离子源向所述注入处理室输送所述离子束的射束线,所述射束线装置供给在所述注入处理室具有超过所述被处理物的宽度的射束照射区域的所述离子束,所述注入处理室具备机械式扫描装置,该机械式扫描装置对所述射束照射区域机械式地扫描所述被处理物,所述射束线装置根据注入条件在多个注入设定结构中的任一个结构下动作,所述多个注入设定结构包括第1注入设定结构及第2注入设定结构,其中,第1注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行高剂量注入的低能量/高电流射束,第2注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行低剂量注入的高能量/低电流射束,所述射束线装置构成为,在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下,所述射束线中成为基准的射束中心轨道自所述离子源至所述注入处理室相同。
地址 日本东京都