发明名称 |
闪存的储存状态决定方法及其相关系统 |
摘要 |
一种闪存的储存状态决定方法,包括下列步骤:将多个第一特定存储单元图样储存于该闪存中;将多个第二特定存储单元图样储存于该闪存中;调整一切割电平使一资料区别错误率低于一默认值;以及,利用调整后的该切割电压来区别该闪存中其他存储单元的该第一储存状态与该第二储存状态。 |
申请公布号 |
CN103811074A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201210462516.9 |
申请日期 |
2012.11.15 |
申请人 |
建兴电子科技股份有限公司 |
发明人 |
曾士家;曾建富;张锡嘉;周彦宇 |
分类号 |
G11C29/42(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/42(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种闪存的储存状态决定方法,该闪存中包括多个存储单元,每一个存储单元可被储存为一第一储存状态、一第二储存状态、一第三储存状态及一第四储存状态其中之一,且该第四储存状态具有一最低电平,该第三储存状态具有一最高电平,该状态决定方法包括下列步骤:将多个第一特定存储单元图样储存于该闪存中,其中,每一该第一特定存储单元图样包括:一第一存储单元以及多个邻近存储单元,且该第一存储单元被储存为该第一储存状态,该多个邻近存储单元被储存为该第三储存状态;将多个第二特定存储单元图样储存于该闪存中,其中每一该第二特定存储单元图样包括:一第二存储单元以及多个邻近存储单元;而该第二存储单元被储存为该第二储存状态,该多个邻近存储单元被储存为该第四储存状态;调整一切割电平使一资料区别错误率低于一默认值;以及利用调整后的该切割电压来区别该闪存中其他存储单元的该第一储存状态与该第二储存状态。 |
地址 |
中国台湾台北市内湖区瑞光路392号14楼 |