半导体装置及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。

主权项

一种半导体装置的形成方法，包括：在多个鳍结构上形成栅极结构；在该多个鳍结构中的每一个该鳍结构上形成氮化物包含层，其中在该多个鳍结构的最外侧壁上的该氮化物包含层的第一厚度大于剩余的该氮化物包含层的第二厚度；蚀刻该氮化物包含层以去除该氮化物包含层的具有该第二厚度的部分，其中该第一厚度的剩余部分提供存在于该多个鳍结构的最外侧壁上的氮化物包含间隔体；以及在该多个鳍结构上形成源极区域和漏极区域。