刻蚀剂组合物、阵列基板以及制造阵列基板的方法

摘要

本发明涉及刻蚀剂组合物，阵列基板以及制造阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于Cu-基金属膜，基于该组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括A）过氧化氢（H₂O₂）、B）pH调节剂以及C）水。当利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀由Cu-基金属膜组成的单层形式或多层形式的金属层时，能够经由分批刻蚀形成图案，经刻蚀的Cu-基金属膜不发生界面变形，并且能够得到具有良好线性的锥形轮廓。

主权项

一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，所述方法包括：a）在基板上形成栅极布线；b）在具有所述栅极布线的所述基板上形成栅极绝缘层；c）在所述栅极绝缘层上形成半导体层；d）在所述半导体层上形成源极和漏极；以及e）形成与所述漏极连接的像素电极，其中，在a）中的形成所述栅极布线包括在所述基板上形成Cu‑基金属膜以及利用刻蚀剂组合物刻蚀所述Cu‑基金属膜，在d）中的形成所述源极和所述漏极包括在所述半导体层上形成Cu‑基金属膜以及利用所述刻蚀剂组合物刻蚀所述Cu‑基金属膜，以及所述刻蚀剂组合物为用于Cu‑基金属膜的刻蚀剂组合物，基于所述组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括A）H₂O₂、B）pH调节剂以及C）水，并且所述刻蚀剂组合物的pH为1.6～3。