发明名称 |
一种离子注入系统中束流均匀性调节装置 |
摘要 |
本发明公开了一种离子注入系统中束流均匀性调节装置,包括:束线通路(1)、线圈上、下侧盖板(2)、多极线圈小磁极(3)、多极线圈(4)、上、下底板(5)、冷却水管道(6)、接线端子(7),其中包含上下对称布置12组多极线圈小磁极(3)和多极线圈(4),其中,每一组多极线圈小磁极(3)和多极线圈(4)对称布置在束线通路(1)两侧,串联连接,由同一个电源供电;共有12个电源单独供电,通过调节线圈内的电流,在束线通路(1)内产生不同的磁场分布,达到调节束线路径的目的。本发明涉及离子注入装置,隶属于半导体制造领域。 |
申请公布号 |
CN103811251A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201210442556.7 |
申请日期 |
2012.11.08 |
申请人 |
北京中科信电子装备有限公司 |
发明人 |
庞云玲 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I;H01J37/147(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 |
代理人 |
马强 |
主权项 |
一种离子注入系统中束流均匀性调节装置,包括:束线通路(1)、线圈上、下侧盖板(2)和(8)、多极线圈小磁极(3)、多极线圈(4)、上、下底板(5)和(9)、冷却管道(6)、接线端子(7),其特征在于:调节装置上下对称布置在束线通路(1)两侧。 |
地址 |
101111 北京市通州区光机电一体化产业基地兴光二街6号 |