| 发明名称 | 形成外延部件的方法 | ||
| 摘要 | 形成外延部件的方法。本发明提供一种集成电路器件和制造该集成电路器件的方法。所披露的方法提供了基本上无缺陷的外延部件。一种示例性方法包括：在衬底上方形成栅极结构；在衬底中形成凹槽从而使栅极结构介于凹槽之间；以及在凹槽中形成源极/漏极外延部件。形成源极/漏极外延部件包括：实施选择性外延生长工艺以在凹槽中形成外延层，以及实施选择性回蚀刻工艺以从外延层移除位错区。 | ||
| 申请公布号 | CN103811351A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201310075181.X | 申请日期 | 2013.03.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑有宏;郭紫微;蔡俊雄;许俊豪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在衬底上方形成栅极结构；在所述衬底中形成凹槽，从而使所述栅极结构介于所述凹槽之间；以及在所述凹槽中形成源极/漏极外延部件，其中，形成所述源极/漏极外延部件包括：实施选择性外延生长工艺以在所述凹槽中形成外延层，其中，在所述选择性外延生长工艺期间在所述外延层中形成位错区；和实施选择性回蚀刻工艺以移除所述位错区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||